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Everspin xSPI STT-MRAM代碼和數(shù)據(jù)整合場景

來源: 日期:2022-07-22 11:43:41

Everspin的新xSPI產(chǎn)品系列基于擴(kuò)展的串行外設(shè)接口,這是用于非易失性存儲(chǔ)設(shè)備的最新JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。它基于Everspin獨(dú)特的工業(yè)STT MRAM技術(shù)。這些產(chǎn)品提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引腳數(shù)的SPI兼容總線接口,時(shí)鐘頻率高達(dá)200MHz。這些持久性內(nèi)存MRAM設(shè)備在單個(gè)1.8V電源上運(yùn)行,并通過八個(gè)I/O信號(hào)提供高達(dá)400MBps的讀取和寫入速度。
 
在這個(gè)用例場景中,應(yīng)用程序代碼和一些少量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在同一個(gè)內(nèi)存芯片中。這有時(shí)需要滿足嚴(yán)格的成本和空間(如物理電路板空間)要求。代碼在啟動(dòng)時(shí)加載到RAM中。文件系統(tǒng)可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和可能的固件,但通常使用原始訪問。由于其低成本和小尺寸,NOR閃存通常用于此目的。
 
對(duì)于只讀或以讀取為中心的工作負(fù)載,這種設(shè)計(jì)工作得很好。然而,由于寫入性能差和寫入能耗高,NOR閃存通常不適用于中等寫入工作負(fù)載。NAND閃存也可用于提高寫入性能,但由于壞塊和軟錯(cuò)誤管理,它會(huì)帶來額外的復(fù)雜性。另一個(gè)問題是耐力。盡管大多數(shù)應(yīng)用永遠(yuǎn)不會(huì)接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期,但隨著單元磨損,保留率會(huì)顯著降低。從未磨損設(shè)備的典型10年規(guī)格來看,在10K循環(huán)后,保留時(shí)間可能會(huì)下降到僅1年。如果固件映像最終出現(xiàn)在磨損的塊中(如果使用了適當(dāng)?shù)哪p均衡,這可能會(huì)發(fā)生),這可能會(huì)成為一個(gè)問題。
 
EMxxLX系列在緊湊的8DFN中具有高達(dá)64Mb的容量,非常適合這種特殊用例。它具有極高的寫入速度、低寫入能耗和幾乎無限的寫入壽命。到目前為止,NOR閃存仍然比MRAM具有容量優(yōu)勢,但大型NOR芯片并不便宜,而且沒有跡象表明MRAM無法擴(kuò)展到尺寸和成本的綜合水平。事實(shí)上,Everspin已經(jīng)在開發(fā)其他密度高于64Mb的MRAM產(chǎn)品。


本文關(guān)鍵詞:xSPI STT-MRAM,Everspin 


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