Everspin MRAM已成為在各種計算機(jī)，醫(yī)療和軍事/航空航天平臺中用作構(gòu)建塊的工業(yè)計算產(chǎn)品中存儲關(guān)鍵非易失性數(shù)據(jù)和頻繁更改程序的流行選擇。對于傳統(tǒng)上依靠電池供電的SRAM的應(yīng)用，MRAM提供了一種較好的解決方案，因?yàn)樗哂邢嗤目焖僮x/寫速度和無限的耐用性，可以在沒有電源的情況下保留20年以上的數(shù)據(jù)，并具有出色的高溫性能。
 
艾默生網(wǎng)絡(luò)能源（Emerson Network Power）的MVME7100工業(yè)計算機(jī)板使用MRAM來存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序，使艾默生的客戶能夠享受捕獲系統(tǒng)數(shù)據(jù)日志的能力，而無需擔(dān)心電源故障期間的內(nèi)存損耗或數(shù)據(jù)備份。
 
每次寫入后，數(shù)據(jù)在MRAM中始終是非易失性的?？蛻暨€可以利用MRAM經(jīng)常更新新程序和數(shù)據(jù)的能力。在安全的應(yīng)用程序中，MRAM既可以擁有安全密鑰，又可以擁有可以在操作過程中頻繁更新的安全算法，而無需像傳統(tǒng)Flash那樣擔(dān)心存儲器的損耗。此外，對安全性的潛在威脅使客戶不必?fù)?dān)心，因?yàn)槿绻蝗怀霈F(xiàn)擔(dān)憂或威脅的情況，可以在幾毫秒內(nèi)擦除MRAM。


Everspin MRAM 4Mb 型號入下

型號	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /托盤
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	570
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	570
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570

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關(guān)鍵詞：MRAM