MRAM是一種基于隧穿磁阻效應的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快（寫入時間可低至2.3n）、功耗低、和邏輯芯片整合度高的特點。
 
    目前主流的MRAM技術(shù)主要以美國Everspin公司推出的STT-MRAM（垂直混合自旋扭矩轉(zhuǎn)換磁性隨機存儲器）為代表。Everspin是一家設計、制造和商業(yè)銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的企業(yè)。
 
    2019年，Everspin與晶圓代工廠格芯合作，試生產(chǎn)28nm 1Gb STT-MRAM產(chǎn)品；2020年3月，雙方宣布已將聯(lián)合開發(fā)的自旋轉(zhuǎn)矩（STT-MRAM）器件的制造，擴展至12 nm FinFET平臺，通過縮小制程有助于雙方進一步拉低1 Gb芯片成本；2022年推出用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的xSPI xSPI產(chǎn)品，xSPI產(chǎn)品系列基于EXpanded串行外圍接口。提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有時鐘頻率高達200 MHz的高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口。這些持久存儲器MRAM設備在單個1.8V電源上工作，并通過八個I/O信號提供高達400MBps的讀寫能力。取代了SRAM、BBSRAM、NVSRAM和NOR設備等產(chǎn)品，瞄準了工業(yè)自動化、過程控制、仿真、汽車和運輸、游戲以及更廣泛的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)市場。Everspin在數(shù)據(jù)中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。
 
    STT MRAM使用隧道層的“巨磁阻效應”來讀取位單元，當該層兩側(cè)的磁性方向一致時為低電阻，當磁性方向相反時，電阻會變得很高。與其他新興存儲技術(shù)相比，STT-MRAM耐用性較為出色，并且存儲速度極快，還被認為是最高級的緩存存儲器。
 
    憑借存儲速度和耐用性的特點，這兩種存儲器有望成為高性能計算系統(tǒng)（如數(shù)據(jù)中心）分級存儲體系中的上佳選擇。不過，如果要將STT-MRAM或SOT-MRAM用作高密度存儲器，還需在存儲器成本和密度方面有進一步提升。


本文關(guān)鍵詞：MRAM,STT-MRAM

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