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SDR SDRAM
同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(SDRAM) SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory、同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn); 動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失; 隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ),而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫;
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DDR1 SDRAM
同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(Double Data Rate SDRAM) 為雙信道同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存,是新一代的SDRAM技術(shù)。 別于SDR(Single Data Rate)單一周期內(nèi)只能讀寫1次,DDR的雙倍數(shù)據(jù)傳輸率指的就是單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。 在核心頻率不變的情況下,傳輸效率為SDR SDRAM的2倍
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DDR2 SDRAM
雙信道兩次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(DDR2 SDRAM) DDR2內(nèi)存Prefetch又再度提升至4 bit(DDR的兩倍) DDR2的I/O頻率是DDR的2倍,也就是266、333、400MHz
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DDR3 SDRAM
雙信道三次同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器芯片(DDR3 SDRAM) DDR3內(nèi)存Prefetch提升至8 bit,即每次會(huì)存取8 bits為一組的數(shù)據(jù)。 DDR3傳輸速率介于 800~1600 MT/s之間。此外, DDR3 的規(guī)格要求將電壓控制在1.5V,較DDR2的1.8V更為省電。
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Mobile SDRAM
低功耗同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片(Mobile SDRAM) 較低的功率消耗及多樣的電壓支持選擇(1.8V,2.5V,3.0V) 體積更為縮小(FBGA) 更高的記憶體容量(768M/1G with DDP) 更高的工作速度(Mobile DDR 333Mbps)
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