近期價格不斷下跌NAND Flash （閃存芯片）市場，突然遇到了產(chǎn)業(yè)變動。7月初日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省宣布，自從7月4日起包括“氟聚酰亞胺”、“ 光刻膠 ”和“高純度氟化氫”3種材料將限制向韓國出口。
 
其中光刻膠與NAND Flash等存儲芯片的生產(chǎn)制造相關。有手機從業(yè)者曾告訴記者，存儲已經(jīng)超過屏幕、CPU，成為手機最大的成本，存儲在手機中的成本達到25%-35%，可見存儲的其重要性。
 
另外一方面6月底 東芝 的NAND Flash的工廠突然斷電13分鐘，至今還未恢復正常運營。這些因素都會造成NAND Flash的產(chǎn)能以及價格的影響，也有傳言說接下來NAND Flash會漲價。
 
但是在業(yè)內(nèi)看來，雖然降幅可能收窄，但是卻很難改變價格下跌的趨勢。集邦咨詢（TrendForce）研究協(xié)理陳玠瑋告訴記者：“預估NAND ASP 2019年將會下跌40%。”
 
閃存市場的兩起突發(fā)
具體來看一方面日本對出口韓國的半導體管制變得嚴厲，自7月4日起，韓國的最惠國待遇就被取消了，對于氟聚酰亞胺等三種半導體材料的出口限制上，從原先的免申請出口許可，改為逐案審核，相關審查流程最長時間長達90個工作日。
 
據(jù)了解光刻技術是芯片制造中重要的工藝，而光刻膠則是光刻技術實現(xiàn)的關鍵材料，是涂覆在半導體基板上的感光劑，占芯片制造成本約為7%。在光刻膠這一上游領域，日本企業(yè)占據(jù)壟斷地位。
 
在NAND Flash市場上，主要供應商有東芝、三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、SK 海力士、美光，其中東芝陣營和三星陣營占據(jù)了半壁江山。而日本的斷供，也將影響SK海力士和韓國三星的NAND Flash芯片制造導致產(chǎn)量減少。
 
為了應對這一局面，業(yè)內(nèi)也傳出消息稱，海力士正在和Intel談判，或收購大連工廠及3D NAND業(yè)務，從而補充產(chǎn)能。另外韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部提出了“復興戰(zhàn)略”計劃，加強韓國國內(nèi)的供應鏈，預計從21年起將對零組件，半導體材料、設備研發(fā)投入6兆韓元（約51億美元）的預算。
 
另一方面東芝在6月遭遇斷電事故，5個工廠未能幸免，至今還未完全恢復，這也影響了NAND Flash的產(chǎn)能。而受傷的廠區(qū)也包括東芝和西部數(shù)據(jù)的合資廠，西部數(shù)據(jù)公開表示，約6ExaByte （EB）的產(chǎn)能受到影響。
 
陳玠瑋向記者表示：“對東芝NAND Flash產(chǎn)能影響至少達30%，但預計七月中旬就會恢復生產(chǎn)。”
 
除了以上的突發(fā)事故，美光的營收和產(chǎn)能也不理想。受到供大于求的環(huán)境背景以及貿(mào)易摩擦的影響，美光2019財年Q3季度中，NAND營收大約在總營收中占比31%，營收環(huán)比下降18%，與同期相比下降25%。為了進一步改善市場供需，美光決定將NAND Flash產(chǎn)出減少比例從原來的5%提高到了10%，還將削減2020年資本支出。
 
那么面對今年NAND Flash產(chǎn)能減少的情況，三季度開始產(chǎn)品價格會上漲嗎？
 
下跌趨勢難反轉(zhuǎn)
有觀點認為以上這兩個事件會對NAND Flash價格產(chǎn)生影響，甚至預計NAND Flash將漲價10%到15%。但是陳玠瑋告訴記者：“七月通路Wafer（晶圓）價格報價預計上漲至少10%，但成交價格可能不會上漲這么多，集邦咨詢預估NAND ASP 2019年將會下跌40%。”
 
另一方面，中國國內(nèi) 長江存儲 也在擴張產(chǎn)能，據(jù)悉長江存儲有望在2019年底前在武漢存儲基地大規(guī)模生產(chǎn)64層3DNAND，長江存儲正在武漢建設一座240億美元的半導體工廠。雖然與國際大廠相比，長江存儲的64層3D NAND仍落后，產(chǎn)能不算大，但是差距在迅速縮小，也將對NAND Flash市場的價格產(chǎn)生沖擊。
 
17年由于閃存等存儲芯片價格持續(xù)上漲，一度引發(fā)了包括手機、固態(tài)硬盤、內(nèi)存條等產(chǎn)品的陸續(xù)漲價。直到2018年供需關系發(fā)生變化，閃存價格一直下跌，2019年跌勢繼續(xù)。

關鍵詞：NAND FLASH
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