非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類(lèi)似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行并行隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)讀取和寫(xiě)入的速度最快為20 ns。
 
發(fā)生電源故障時(shí)，nv SRAM會(huì)自動(dòng)將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲(chǔ)器中，該數(shù)據(jù)將受到20多年的保護(hù)。SRAM和非易失性存儲(chǔ)器之間的傳輸是完全并行的，從而允許在8 ms或更短的時(shí)間內(nèi)完成操作，而無(wú)需任何用戶(hù)干預(yù)。上電時(shí)，nv SRAM將數(shù)據(jù)返回給SRAM，并且系統(tǒng)從中斷處繼續(xù)操作。nv SRAM還提供用戶(hù)控制的軟件STORE和RECALL啟動(dòng)命令，以及大多數(shù)版本中的用戶(hù)控制的硬件STORE命令。
 
CYPRESS的nv SRAM具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的，符合RoHS的封裝選項(xiàng)，例如TSOP，F(xiàn)BGA，SSOP和SOIC封裝
 

Nv SRAM技術(shù)

Nv SRAM的非易失性單元基于SONOS技術(shù)。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優(yōu)勢(shì)通過(guò)將電荷捕獲在夾層氮化物層中來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FN隧道技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大降低磨損。SONOS技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是易于集成到CMOS中（僅兩個(gè)附加的掩模）。這使得NV單元可以在每個(gè)存儲(chǔ)位中緊鄰6T SRAM單元放置，從而使SRAM到NV的傳輸全部并行進(jìn)行，并且功耗非常低。

Nv SRAM的主要功能

· 64Kb至16Mb的設(shè)備
· 異步并行和ONFI 1.0接口選項(xiàng)
· 串行接口選項(xiàng)
· 存取時(shí)間低至20 ns
· 無(wú)限耐力
· 無(wú)需電池即可存儲(chǔ)斷電數(shù)據(jù)；符合RoHS
· 可選的實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）


關(guān)鍵詞：SRAM