總覽
 
MR25H256是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針接口在邏輯上將存儲器陣列組織為32Kx8（ SPI）總線。串行MRAM實現(xiàn)了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與可用的串行存儲器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的寫入速度，無限的耐用性，低待機和運行能力以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。
 
特征
•無寫入延遲
•無限的寫續(xù)航力
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•斷電時自動數(shù)據(jù)保護
•阻止寫保護
•快速，簡單的SPI接口，時鐘速率高達40 MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)和汽車1級和3級溫度
•提供8-DFN或8-DFN符合RoHS標準的小標志。
•直接替換串行EEPROM，閃存，F(xiàn)eRAM
•工業(yè)級和AEC-Q100 1級和3級選件
•水分敏感性MSL-3
     

系統(tǒng)配置
 
單個或多個設(shè)備可以連接到總線，如圖2所示。SCK，SO和SI引腳在設(shè)備之間通用。每個器件都需要分別驅(qū)動CS和HOLD引腳。
 

 

產(chǎn)品版本和選件
MR25H256A已批量生產(chǎn)，建議用于所有新設(shè)計。


宇芯電子代理商Everspin MRAM型號產(chǎn)品

型號	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /托盤	MOQ /卷帶
MR25H256CDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256MDC	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H256CDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H256MDF	256Kb	32Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000

關(guān)鍵詞：MRAM   Everspin MRAM