一個典型的SRAM基本結構中，每個存儲單元都通過字線和位線與它所在的行和列中的其它存儲單元有電學連接關系。水平方向的連線把所有的存儲單元連成一行構成字線，而垂直方向的連線是數(shù)據(jù)輸入和數(shù)據(jù)輸出存儲單元的通路，稱為位線。每一個存儲單元都能通過選擇適當?shù)淖志€和位線被唯一地定位。宇芯有限公司介紹關于SRAM存儲器的讀操作分析。

   
SRAM存儲單元讀操作分析

存儲單元的讀操作是指被尋址的存儲單元將它存儲的數(shù)據(jù)送到相應位線上的操作。圖3.5 表示的是進行讀操作的一個SRAM單元，兩條位線開始都是浮空為高電平。假設當前單元中存儲的值為邏輯“1”，即節(jié)點A為高電平，節(jié)點B為低電平。
 
讀操作開始前，位線BIT和BIT_被預充電，預充電平的典型值是電源電壓。讀操作過程中字線ROW被驅動到高電平，打開傳輸管N3 和N4。由于節(jié)點A為高電平，節(jié)點B為低電平，位線BIT_就會經(jīng)過N4 和N2 放電，電平逐漸降低；此時，由于N3管源漏電壓近似相等，因此只有很小的電流流過，位線BIT會繼續(xù)保持高電平狀態(tài)。
 
隨著BIT_的放電，BIT和BIT_之間的差分電壓逐漸增大；差分電壓增大到一定程度后，靈敏放大器將放大并輸出差分電壓。但操作有兩點需要我們注意：當字線電平升高之后，N4 和N2 的分壓作用將使節(jié)點B的電平升高，很可能使得N1 導通，從而對節(jié)電A放電。如果泄放掉的電荷較少（VGS≥Vth，若泄放電的電荷較多，有可能使得N3 管截止），可能導致N3 打開，位線BIT會放電，增加差分電壓的建立時間；如果泄放電的電荷較多，那么P2 就可能成為導通狀態(tài)，進一步抬高B點的電平，從而使得存儲數(shù)據(jù)從“1”翻轉為“0”，即發(fā)生所謂的“讀翻轉”。


VTI代理宇芯有限公司SRAM存儲器型號

型號	位寬	容量	溫度	電壓(V)	速度(ns)	C/S Option	封裝	包裝	狀態(tài)
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2	Tray	MP
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	48BGA	Tray	MP
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA	Tray	MP
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	44TSOP2	Tray	MP
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA	Tray	MP
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2	Tray	MP
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA	Tray	MP
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2	Tray	MP
VTI508HB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA	Tray	MP
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	48BGA	Tray	MP
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	44TSOP2	Tray	MP

關鍵詞：SRAM  SRAM讀寫