最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價格的優(yōu)點，已成為了生產(chǎn)最多的用于計算機主體的易失性存儲器（也稱為揮發(fā)性存儲器）。SRAM的密度一般比DRAM要落后一代。然而SRAM具有的低功耗和高性能的特點，使它們成為了DRAM的實際替代者?，F(xiàn)今大量用于商品的SRAM使用NMOS和PMOS技術(shù)制造（或者兩種技術(shù)的結(jié)合，稱為混合MOS）。


1995年半導(dǎo)體存儲器的銷售額占總IC市場的42%，但是隨著1995年的強勁增長，存儲器的價格在接著的三年中急劇下降。到1998年存儲器的銷售額只占總IC市場的21%。在20世紀90年代半導(dǎo)體存儲器的銷售額平均約為IC總銷售額的30%。曾經(jīng)預(yù)言在2005年以前IC的總銷售額中存儲器的市場份額都將逐漸增加。在高密度和高速應(yīng)用方面，正在采用雙極型和MOS技術(shù)的各種結(jié)合。


半導(dǎo)體存儲器的種類繁多，通常從功能上可將其分為只讀儲器（ROM）和隨機存儲器（RAM）。只讀存儲器的特點是其內(nèi)容在計算機開機使用之前已經(jīng)寫入，開機后只能讀出使用而不能寫入，且儲存數(shù)據(jù)不會因系統(tǒng)的掉電而丟失。它主要面向已經(jīng)定型的程序或?qū)Ｓ脭?shù)據(jù)。


隨機存儲器的特點是可以隨時對其進行讀寫操作，但電源切斷時，儲存的信息會隨之消失。在隨機存儲器中按照對數(shù)據(jù)操作方式的不同，可以將RAM分為動態(tài)存儲器（DRAM）與靜態(tài)存儲器（SRAM）；SRAM的密度和性能通常通過等比例縮小器件的幾何形狀來增強。已發(fā)展了具有亞微米尺寸的先進的4Mb到16MbSRAM芯片的設(shè)計和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在可以得到商業(yè)芯片。DRAM發(fā)展中的主要改進是從三晶體管（3T）設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉w管（1T）設(shè)計，使得可以生產(chǎn)采用3-D溝槽電容器和堆疊電容器的4Mb到16Mb密度的芯片。

關(guān)鍵詞：SRAM