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SRAM市場與技術(shù)

來源: 日期:2020-05-22 10:12:15

靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲單元,只要不切斷其供電電源,它就能永遠保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動態(tài)隨機存取存儲器DRAM 不同.不需要刷新操作.控制相對簡單許多。
 
鑒于SRAM這一獨列的特點, 它廣泛地應(yīng)用于各個領(lǐng)域,諸如產(chǎn)業(yè)、民間、通信、測試、計算機以及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)等領(lǐng)域。隨著移動電話的普及應(yīng)用,在移動通信領(lǐng)域里也急需大暈的SRAM器件。
 
SRAM器件系列分類
SRAM用途不同,可把SRAM分成如下3大系列產(chǎn)品:①低消耗電流為主要特點的低消耗電力版SRAM(即所謂中速SRAM);②以高速工作為主要特點的高速版SRAM;③同步SRAM,顧名思義,使它與時鐘信號同步工作,追求更高速度,詳細情況可參閱SRAM產(chǎn)品,系列分類圖(圖1所示)。
 
 
圖1 SRAM產(chǎn)品分類

為了使SRAM在低電壓工作并實現(xiàn)低消耗電流,存儲器單元電路(MemoryCl)也開始由大電阻作為負載電阻的4管MOS電路轉(zhuǎn)向利用有源負載的6管MOS電路,詳見圖2所示。但是6管MOS存儲單元因有源器件用6個,占用芯片面積較大。
 

圖2 SRAM用存儲單元電路結(jié)構(gòu)
 
此外,隨著半導(dǎo)體精細加工工藝技術(shù)進步,在SRAM內(nèi)部實際工作的電壓和外部施加的電壓之間形成電壓差值。為解決這一問題,今后必須引入降壓電路。由于要求低消耗電流,降壓電路里的電流也不允許過大.
 
如何選擇SRAM
基于上述的介紹,現(xiàn)已了解到SRAM按照用途可以分為三大類系列。而且.在各個系列產(chǎn)品里,按照存儲容量、供電電壓、存取速度、消耗電流和封裝結(jié)構(gòu)又細分為各種各樣的具體產(chǎn)品。那么究竟如何從中選擇出適用的器件呢?作為SRAM器件用戶,首先要確認這些器件的性能規(guī)范和能否穩(wěn)定的提供貨源(包括是否第二來源};在此基礎(chǔ)之上再根據(jù)實際應(yīng)用情況,選取適用的器件.
 
SRAM器件規(guī)范按照多種用途向多樣化方向發(fā)展.今后這種傾向也將愈來愈明顯。從用戶方面觀察,需要探討的課題便是如何從形形色色的SRAM產(chǎn)品中選購出所需要的最佳器件。然而從器件生產(chǎn)廠家觀察,需要研究的課題就更多一些,諸如,確定適應(yīng)多樣化需要的器件產(chǎn)品規(guī)范、產(chǎn)品系列和如何調(diào)用新技術(shù)把器件產(chǎn)品實現(xiàn)商品化。
 
 
 
 VTI SRAM
型號 容量 位寬 電壓(V) 速度(MHz) 接口 包裝
VTI7064LSM 64Mbit 8M x 8 1.8 104 SQI Tube,T&R
VTI7064LSM 64Mbit 8M x 8 1.8 20 SPI Tube,T&R
VTI7064MSM 64Mbit 8M x 8 3 104 SQI Tube,T&R
VTI7064MSM 64Mbit 8M x 8 3 20 SPI Tube,T&R
VTI7032LSM 32Mbit 4M x 8 1.8 133 SQI Tube,T&R
VTI7032LSM 32Mbit 4M x 8 1.8 20 SPI Tube,T&R
VTI7016LSM 16Mbit 2M x 8 1.8 133 SQI Tube,T&R
VTI7016LSM 16Mbit 2M x 8 1.8 20 SPI Tube,T&R
VTI7001NSM 1Mbit 128K x 8 3.3 20 SPI Tube,T&R
VTI7001LSM 1Mbit 128K x 8 1.8 20 SPI Tube,T&R
VTI7512NSM 512Kbit 64K x 8 3.3 20 SPI Tube,T&R
VTI7512LSM 512Kbit 64K x 8 1.8 20 SPI Tube,T&R
VTI7256NSM 256Kbit 32K x 8 3.3 20 SPI Tube,T&R
VTI7256LSM 256Kbit 32K x 8 1.8 20 SPI Tube,T&R
VTI7128LSM 128Kbit 16K x 8 1.8 20 SPI Tube,T&R
VTI7128NSM 128Kbit 16K x 8 3.3 20 SPI Tube,T&R


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