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Nand Flash六大廠商未來規(guī)劃曝光

來源:宇芯有限公司 日期:2021-03-05 10:40:42

展望2021年,集邦咨詢認為第一季度供給端由于三星(Samsung)、長江存儲(YMTC)積極擴產(chǎn)以及各供應(yīng)商均轉(zhuǎn)進更高層數(shù)等影響,位元產(chǎn)出將顯著增長。
 
需求端盡管筆電及智能手機品牌商備貨動能延續(xù),但仍因傳統(tǒng)淡季而訂單略有下修。server與data center客戶庫存雖已大致回到健康水位,但尚未恢復采購動能,議價時供應(yīng)商仍預期市場供過于求將會擴大,使合約價繼續(xù)下跌,第一季營收將呈現(xiàn)衰退走勢。
 
廠商未來規(guī)劃
 
* 三星電子:加快提升第六代V-NAND生產(chǎn)比重
 
三星電子認為在移動產(chǎn)品和數(shù)據(jù)中心的強勁需求下,今年全球總體需求將恢復。三星將加快提升1znm DRAM和第六代V-NAND生產(chǎn)比重,繼續(xù)擴大與全球主要客戶合作,并積極推出下一代基于EUV工藝的1anm DRAM和第七代V-NAND產(chǎn)品,以繼續(xù)提升技術(shù)領(lǐng)先地位,并增強成本競爭力。
 
2021年三星電子為最積極擴產(chǎn)的供應(yīng)商除了在西安二期持續(xù)擴產(chǎn)外,也將開始在平澤二廠布建3D NAND生產(chǎn)線。產(chǎn)品方面目前仍以V5(92L)為主要供給,但今年會大幅拉升V6(128層)的比重,將擴大應(yīng)用在SSD以及UFS等產(chǎn)品。
 
* 鎧俠:112層BiCS5產(chǎn)品出貨比重將提升
 
鎧俠除有緩步擴張K1廠的規(guī)劃,也將維持于第一季動工興建四日市Fab 7、北上市K2廠的規(guī)劃,預定2022年后挹注產(chǎn)出,目標用以生產(chǎn)BiCS6或更進階層數(shù)的產(chǎn)品。產(chǎn)品方面其主要位元增長將透過產(chǎn)品世代的轉(zhuǎn)進來達成,目前主流仍為96層BiCS4產(chǎn)品,112層BiCS5產(chǎn)品出貨比重將于今年內(nèi)明顯提升。
 
鎧俠近日還宣布在日本三重縣四日市工廠舉行了奠基儀式,最先進的半導體工廠(Fab7)正式破土動工。該工廠致力于生產(chǎn)其專有的第六代3D閃存BiCS 閃存FlashTM。新工廠的建設(shè)將分為兩個階段,其中第一階段的建設(shè)計劃于2022年春季完成。
 
* SK海力士:預定下半年推出176層產(chǎn)品
 
SK海力士表示公司計劃隨著高性能計算(HPC)、人工智能(AI)市場的成長,在DRAM方面擴大包括HBM2E在內(nèi)的高附加價值產(chǎn)品的出貨比重。就NAND閃存方面,SK海力士準備積極推進基于128層Nand Flash的服務(wù)器SSD的客戶認證,并繼續(xù)產(chǎn)品多元化步伐。與此同時SK海力士計劃年內(nèi)投產(chǎn)生產(chǎn)性更高的第四代1a納米級DRAM與176層4D Nand Flash。
 
2021年SK海力士位元增長集中于產(chǎn)品層數(shù)的提升,128層產(chǎn)品的占比已于2020年底達30%,今年將持續(xù)增長,以取代72、96層的占比,并預定下半年推出176層產(chǎn)品。而并購Intel大連廠的進程方面,目前仍規(guī)劃年底前完成大連廠及Intel SSD技術(shù)的產(chǎn)權(quán)移轉(zhuǎn)。
 
* 美光:第二代176層產(chǎn)品將送樣給品牌端
 
美光雖有128層的產(chǎn)品,但相較于其他競爭對手積極轉(zhuǎn)進的策略,其對主要客戶的出貨都直接著重在第二代的176層產(chǎn)品,預計仍會在第二季前送樣給品牌端。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面,其QLC出貨占比再度提升,位元占比已達其NVMe SSD出貨的50%以上。
 
* 英特爾:延續(xù)產(chǎn)品出貨偏重QLC的策略
 
英特爾已與SK海力士達成出售協(xié)議,意即目前的產(chǎn)品分配、產(chǎn)能規(guī)劃等不會再有大幅調(diào)整,仍延續(xù)其在enterprise SSD的優(yōu)勢,推動客戶導入其144層產(chǎn)品,預計2021年大幅提升出貨比重,并延續(xù)產(chǎn)品出貨偏重QLC的策略。此外今年為提升144層的產(chǎn)出效益將于大連廠擴張產(chǎn)能,長期擴產(chǎn)效益將歸屬于SK海力士。


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