NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND內(nèi)存被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
 
大家都知道決定內(nèi)存Flash器件的性能是內(nèi)部控制器和存儲芯片共同決定的，雖然NAND閃存已經(jīng)發(fā)展到120+層的地步，但是其Controller也是受到摩爾定律的支配。目前市面上存儲器件因為新的架構(gòu)迭代而有各種不同的表現(xiàn)，但是普遍來說，市場上主控芯片還是受到NAND發(fā)展進程所支配的。
 
每個從業(yè)者都知道閃存密每24個月左右就會翻一倍，但是他們很少注意到，其主控制器也變得越來越復(fù)雜，從SLC到MLC、TLS再到QLC之間，一步一步的演變使得用戶的體驗變得更快更好，并且主控的進步尤為突出，甚至可以把一個功能齊備的主控直接連接到完全沒有功能的NAND內(nèi)存上，而這在以前是難以想象的。
 
但是不是說主控芯片已經(jīng)發(fā)展到領(lǐng)先NAND閃存數(shù)代的地步，主控的發(fā)展還是高度依賴于NAND閃存的。目前整個市場上，單個芯片控制最大容量的器件還是Micro-SD卡。


關(guān)鍵詞：NAND內(nèi)存

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