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使用非易失性FRAM存儲器替換SRAM時的問題和解決方案

來源: 日期:2021-11-23 14:19:44

FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn),富士通新推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存儲芯片,這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬億讀/寫周期的產(chǎn)品。與富士通的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品實現(xiàn)了高速運(yùn)行、約30%的訪問速度和低功耗、10%的工作電流。該存儲器IC是需要高速運(yùn)行的工業(yè)機(jī)器中SRAM的理想替代品。
 
此款新并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億次,運(yùn)行速度與SRAM相同,TSOP封裝與SRAM兼容。FRAM的低功耗的獨(dú)特特性。非常適合工業(yè)機(jī)器,同時實現(xiàn)高速運(yùn)行和低功耗。
 
MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口,可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行。它是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬億讀/寫循環(huán)時間的產(chǎn)品。
 
在某些情況下,新的8Mbit FRAM為客戶帶來了無需使用SRAM所需的數(shù)據(jù)備份電池的好處。富士通的FRAM產(chǎn)品可以解決以下問題,將SRAM替換為非易失性存儲器。(圖4)
 
問題:更改接口設(shè)計和PCB設(shè)計的額外工作
解決方案:使用與SRAM接口和SRAM封裝兼容的FRAM
問題:難以用寫入速度非常慢的非易失性存儲器替代
解決方案:使用具有快速寫入操作的FRAM,頁面模式下最大25ns
問題:寫入壽命高達(dá)10萬億次導(dǎo)致設(shè)計限制
解決方案:使用寫入壽命高達(dá)100萬億次的FRAM
   
圖4:使用非易失性存儲器替換SRAM時的問題和解決方案
 
關(guān)鍵詞:FRAM,鐵電存儲器
 

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