在新的非易失性存儲器(NVM)技術時代，另一種變體即將加入競爭——稱為自旋軌道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系統(tǒng)(SoC)和其他集成電路中的SRAM陣列。
 
僅僅基于成本，它或任何新的NVM都很難與NAND閃存或DRAM競爭。
 
盡管DRAM和NAND已經高度優(yōu)化，可能無法以相同的新存儲器速度取得新的進展，但它們受益于一些全球最大的半導體公司在一個銷售數百億芯片的市場上進行了數十年的技術投資。每年每項技術的產品價值，。已經花費了大量資金來優(yōu)化DRAM和NAND，達到今天的水平。即使一項新技術每年進步20%，要趕上DRAM和NAND仍有很長的路要走。
 
在一兩件事上做得更好可能會有所幫助，但總的來說，閃存和DRAM的成熟度以及它們不斷發(fā)展的事實可能會使專用MRAM芯片超出經濟范圍。
 
在某些指標上，新奇的記憶要擊敗既定的記憶還不夠好。它幾乎必須在帶寬、延遲、容量、成本、功率和耐用性等所有關鍵指標上擊敗DRAM或NAND。就像今天的技術一樣，專用芯片似乎遙不可及，因為在成本方面它永遠無法與DRAM競爭。

關鍵詞：?DRAM 

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