據(jù)預測，今年Nand Flash資本支出將增長8%至299億美元，超過2018年278億美元的歷史新高。閃存資本支出在2017年飆升，當時該行業(yè)向3D NAND過渡，此后每年都超過200億美元。2022年閃存的資本支出預計將增至299億美元，因為大型供應商和小型供應商又將保持適度激進的支出水平。
 
299億美元的支出占2022年整個IC行業(yè)資本支出預測1904億美元的16%，僅落后于晶圓代工部門，該部門預計將占今年行業(yè)資本支出的41%。
 
隨著Nand Flash供應商準備從2022年底到2023年進入200層以上設備的競爭，將需要新的晶圓廠和新設備。三星和美光可能是第一個開始量產的公司今年晚些時候的200層設備。兩家公司以及SK海力士目前都在量產176層NAND。三星位于中國西安的晶圓廠是（并將成為）領先NAND的關鍵制造地點，擁有兩個晶圓廠，每個晶圓廠全面投產后每月可生產120,000片晶圓。隨著對企業(yè)存儲應用的日益關注，SK海力士預計將在2023年遷移到196層。

本文關鍵詞：Nand Flash

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