目前業(yè)界新型存儲器主要有4種，相變存儲器（PCM）、阻變存儲器（ReRAM）、鐵電存儲器（FeRAM）、磁性存儲器（MRAM）。從當(dāng)前各類存儲技術(shù)的發(fā)展水平和特點，RRAM有望成為閃存的替代品。
 
RRAM可以將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，因此其擁有了擦寫速度高、耐久性強、單個存儲單元能存儲多位數(shù)據(jù)的優(yōu)勢，并且它的功耗極低。
 
RRAM的功耗比閃存低得多，可能是下一代MCU的一個關(guān)鍵差異化因素。RRAM的一個可能應(yīng)用領(lǐng)域就是MCU中所有易失性存儲器的備份存儲器。
 
從RRAM具體動態(tài)看，RRAM代工工藝由臺積電、華邦和格芯提供支持，RRAM由瑞薩、富士通、Microchip和索尼作為獨立產(chǎn)品生產(chǎn)，而新唐則在微控制器中生產(chǎn)，另外還有許多公司正在開發(fā)ReRAM工藝。
 
在商業(yè)化上，Crossbar、昕原半導(dǎo)體、松下、Adesto、Elpida、東芝、索尼、美光、海力士、富士通等廠商都在開展RRAM的研究和生產(chǎn)。


本文關(guān)鍵詞：RRAM

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