低功耗SRAM存儲器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，SRAM作為最重要的半導(dǎo)體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計變得越來越重要。
 
    EM610FV8T-70LF采用JSC先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片規(guī)模封裝，以實現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計的用戶靈活性。該系列還支持低數(shù)據(jù)保留電壓，以便在低數(shù)據(jù)保留電流下進(jìn)行電池備份操作。詳情聯(lián)系JSC代理RAMSUM。
 
    EM610FV8T-70LF特征
    •工藝技術(shù)：0.18m全CMOS
    •組織：128K x 8位
    •電源電壓：2.7V～3.6V
    •低數(shù)據(jù)保持電壓：1.5V（最小值）
    •三態(tài)輸出和TTL兼容
    •封裝采用32-TSOP1

    JSC是專門從事存儲半導(dǎo)體總體解決方案的存儲器公司。開發(fā)了自己的移動SDRAM系列，SRAM系列和各種其他NAND MCP，一直領(lǐng)先于市場趨勢，不斷為各種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供優(yōu)化的內(nèi)存產(chǎn)品。瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，保持在物聯(lián)網(wǎng)市場的競爭力，并成為存儲器半導(dǎo)體領(lǐng)域的總體解決方案提供商。目前面向以下市場：物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)、移動、消費者等，同時能夠熟練地適應(yīng)不斷變化的市場。


本文關(guān)鍵詞：SRAM,EM610FV8T-70LF

上一篇文章：什么是RISC-V？