MRAM在邊緣方面展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。邊緣計(jì)算在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、機(jī)器人、可穿戴設(shè)備、人工智能、汽車(chē)以及便攜式設(shè)計(jì)等領(lǐng)域的應(yīng)用正在不斷增長(zhǎng)。伴隨著這些增長(zhǎng)的是大家對(duì)高速、低延遲、非易失性、低功耗、低成本內(nèi)存（用于程序存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)備份）的需求。
 
    雖然有許多可用方案，包括SRAM、DRAM、閃存等,但這些技術(shù)都需要在一個(gè)或多個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行權(quán)衡，這對(duì)于邊緣計(jì)算來(lái)說(shuō)，它們似乎都不太適合。MRAM將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁存儲(chǔ)單元中，提供真正的隨機(jī)訪問(wèn)，并允許在內(nèi)存中隨機(jī)讀寫(xiě)。此外，MRAM結(jié)構(gòu)和操作具有低延遲、低泄漏、高寫(xiě)入周期數(shù)和高保持率等特點(diǎn)，而這些恰恰都是邊緣計(jì)算非常需要的。
 
    此外，MRAM是實(shí)現(xiàn)存算一體的理想存儲(chǔ)器之一。到目前為止，多種存儲(chǔ)器介質(zhì)被研究用于構(gòu)建存算一體系統(tǒng)。SRAM和DRAM是易失性器件，頻繁的刷新并不利于降低功耗。而Flash雖然是非易失性的，但是隨著讀寫(xiě)次數(shù)增加，浮柵氧化層會(huì)逐漸失效，反復(fù)讀寫(xiě)可靠性很低。因此，各種基于電阻改變的新型存儲(chǔ)器是實(shí)現(xiàn)存算一體的有效載體。
 
    MRAM則是基于對(duì)電子“自旋”的控制，可以達(dá)到理論上的零靜態(tài)功耗，同時(shí)具有高速和非易失性以及近乎無(wú)限的寫(xiě)入次數(shù)。MRAM在速度、耐久性、功耗這些方面具有不可替代的優(yōu)越性。因此，MRAM是實(shí)現(xiàn)存算一體的理想存儲(chǔ)器之一。


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