如果簡單地分類，大致可以把存儲器分為NAND Flash、NOR Flash和DRAM三類。得益于5G、AI、汽車電子等領域的不斷發(fā)展，DRAM、NAND Flash、NOR Flash也各自有不同的技術演進方向。
 
  其中，NAND Flash在智能穿戴領域的發(fā)展迅猛，從早期用于簡單的手環(huán)、手表，到現(xiàn)在用于可安裝APP、表盤顯示豐富的智能手表，其應用場景也在隨著終端產品的演進而不斷拓展。同時，SLC NAND Flash在服務器領域也有應用，如陣列卡和BMC等部件正逐步采用SLC NAND。在AI服務器中，NAND Flash主要用于大量數(shù)據(jù)存儲和企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)。
 
  NOR Flash主要應用在長尾市場，其市場營收從20年前的上百億美元，降至如今的約26億美元，整個市場呈現(xiàn)出長尾的特征。盡管其市場規(guī)模已經縮小，但如今NOR Flash在多個領域仍被廣泛應用。
 
  比如，在消費電子領域，智能穿戴設備及家用DVB-C、DVB-S等設備常用NOR Flash；在汽車電子領域，NOR Flash的應用不斷拓展，如汽車攝像頭和ADAS系統(tǒng)等；在通信領域，4G和5G通信設備需要高容量NOR Flash來滿足數(shù)據(jù)存儲和程序運行需求，基站部署推動其在通信領域的應用；在人工智能領域，NOR Flash在GPU顯卡中用于存儲固件和驅動程序，確保顯卡的正常運行和高性能表現(xiàn)。
 
  DRAM主要分為DDR、LPDDR和GDDR三類，廣泛應用于計算機、移動設備和圖形處理等領域。其中，DDR適用于計算機、服務器等高性能計算設備；LPDDR則針對移動設備，如手機和平板電腦，因其低功耗特性而受到青睞；GDDR主要用于圖形處理，滿足顯卡等設備對高帶寬的需求。
 
此外，隨著技術的不斷進步，基于DRAM研發(fā)的HBM(高帶寬存儲器)逐漸嶄露頭角。HBM通過3D堆疊技術實現(xiàn)了更高的帶寬和更低的功耗，適用于高通GPU、算力卡等對數(shù)據(jù)處理能力要求極高的應用場景。


本文關鍵詞：DRAM,NOR Flash

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