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替代型存儲(chǔ)器崛起

來源:宇芯有限公司 日期:2017-11-29 16:01:34



下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5存儲(chǔ)器應(yīng)用


CPU供應(yīng)商預(yù)計(jì)將使其處理器的DDR通道數(shù)從12個(gè)增加到16個(gè)通道,因此可能使主存儲(chǔ)器的容量從現(xiàn)有的64GB提高到128GB。
  
預(yù)計(jì)DDR5將最先出現(xiàn)在執(zhí)行大型數(shù)據(jù)庫(kù)的高性能系統(tǒng),或是諸如機(jī)器學(xué)習(xí)等具有龐大存儲(chǔ)器容量需求的應(yīng)用中。Dhulla表示,雖然有些服務(wù)器可能會(huì)延遲達(dá)6個(gè)月才采用DDR5,“但這只不過是幾季的時(shí)間罷了,每個(gè)人都想要更大容量的存儲(chǔ)器。”
  
當(dāng)今大約有90%的服務(wù)器都采用暫存或降低負(fù)載的DIMM——這些DIMM則采用暫存器時(shí)脈以及數(shù)據(jù)緩沖器。這些芯片通常由Rambus、IDT和Montage等公司以不到5美元的價(jià)格銷售。
  
DDR5標(biāo)準(zhǔn)出現(xiàn)的時(shí)間,大約就是JEDEC為支持一系列DRAM與持久型存儲(chǔ)器組合的存儲(chǔ)器模組發(fā)布NVDIMM-p (非揮發(fā)性DIMM)介面之際。英特爾(Intel)表示將在明年推出采用其3D XPoint芯片的服務(wù)器DIMM;其他公司也預(yù)計(jì)將推出采用3D NAND的NVDIMM-p存儲(chǔ)器。
  
相較于傳統(tǒng)的DRAM模組,新版存儲(chǔ)器預(yù)計(jì)將在密度和延遲方面更具優(yōu)勢(shì)。不過,預(yù)計(jì)其價(jià)格也將會(huì)更高,而DRAM可望維持原始速度的優(yōu)勢(shì)。


關(guān)鍵詞:DDR5存儲(chǔ)器

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