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DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)公布

來(lái)源:宇芯有限公司 日期:2017-12-08 16:11:31

據(jù)報(bào)道,Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù),最大的關(guān)注點(diǎn)在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被業(yè)界認(rèn)為是極限,因?yàn)榈搅?nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也不能夠在保證性能的同時(shí)抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來(lái)提高器件性能,7nm是一項(xiàng)非常復(fù)雜的技術(shù)。
  
讓人費(fèi)解的是,曾經(jīng)的“專(zhuān)利流氓”Rambus居然公開(kāi)了DDR5內(nèi)存和HBM3存儲(chǔ)的技術(shù)參數(shù)。
 

                                                 
報(bào)道稱(chēng),Rambus的規(guī)劃顯示,HBM3基于7nm工藝制造,帶寬高達(dá)4GT/s,封裝架構(gòu)更加復(fù)雜。
  
按照單芯片1024bit位寬,速度就可以實(shí)現(xiàn)512GB/s到1TB/s,也就是比HBM2直接翻了兩番。
  
至于DDR5內(nèi)存,設(shè)計(jì)目標(biāo)I/O帶寬6.4Gbps,總帶寬51.2GB/s,頻率4800~6400MHz,預(yù)取位數(shù)16bit,均比DDR4翻番。
  
其實(shí)在今年9月,Rambus就號(hào)稱(chēng)在實(shí)驗(yàn)室搞定了第一塊完整工況的DDR5驗(yàn)證產(chǎn)品,電壓還只有1.1V。


                                     
然而,必須指出的是,至少在整個(gè)2018年,HBM3/DDR5的影子都不會(huì)見(jiàn)到,最快最快也需要2019年。
  
Rambus到底是用PPT嚇人還是真有幾把刷子,那就不得而知了。只希望這種技術(shù)出來(lái)以后,不要再憑借專(zhuān)利去到處“咬人”,而且當(dāng)年Intel因?yàn)橛采蟁ambus RDRAM被結(jié)結(jié)實(shí)實(shí)坑了一把。


關(guān)鍵詞:DDR5

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