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CYPRESS為F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售支持

來源:宇芯有限公司 日期:2018-01-05 17:03:04

CYPRESS導(dǎo)體公司宣布其領(lǐng)先業(yè)界的非易失性隨機存取存儲器((NVRAM)產(chǎn)品組合新增晶圓產(chǎn)品。賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合包括鐵電RAM(F-RAM™)和非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM),可以在斷電時為重要數(shù)據(jù)提供可靠保護。很多關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨特優(yōu)勢之外,還需要小巧、獨特封裝的裸片。

賽普拉斯的F-RAM是業(yè)內(nèi)能效最高的NVRAM技術(shù),具有可以說是無限次的100萬億次讀寫耐久性。F-RAM 存儲單元中的鐵電材料可抵御由輻射或磁場導(dǎo)致的數(shù)據(jù)損壞,所以能夠為醫(yī)療、航天和國防應(yīng)用提供軟錯誤免疫能力。賽普拉斯的nvSRAM是業(yè)內(nèi)速度最快的NVRAM技術(shù),存取時間低至20 ns。它具有非易失性數(shù)據(jù)保留功能,而且不需要額外的電池,同時提供無限的耐久性。

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級主管Sonal Chandrasekharan表示:“為NVRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售進一步滿足了客戶的廣泛需求,客戶現(xiàn)在可以在滿足具體應(yīng)用的封裝規(guī)格的同時,充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效優(yōu)勢。”
 
關(guān)于賽普拉斯的nvSRAM

賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲在外部電容器中的電荷,而非電池,從而使這一器件適合于標(biāo)準(zhǔn)的PCB流水線生產(chǎn)。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標(biāo)準(zhǔn),可以直接替代SRAM和依靠電池供電的SRAM(BBSRAM)產(chǎn)品,提供快速非易失性數(shù)據(jù)存儲能力。當(dāng)發(fā)生斷電的時候,數(shù)據(jù)可自動從SRAM傳輸?shù)椒且资詥卧?。加電之后,?shù)據(jù)可從非易失性存儲器中恢復(fù)至SRAM。在工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)、計算和RAID應(yīng)用中,nvSRAM提供了高速數(shù)據(jù)傳輸性能,并在斷電的時候,無需電池即可保證數(shù)據(jù)的完整性。

關(guān)鍵詞:CYPRESS     nvSRAM

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