英特爾開大會(huì)的同時(shí)也是其對(duì)手三星和臺(tái)積電開始量產(chǎn)10nm的時(shí)候，那么這兩家公司的10nm技術(shù)和英特爾的14nm誰勝誰負(fù)？就以英特爾自己給的晶體管密度的維度標(biāo)準(zhǔn)來看，他們的10nm都要比英特爾的14nm先進(jìn)，而且臺(tái)積電的制程是最先進(jìn)的。

這個(gè)結(jié)論是擁有35年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的專家Scotten Jones定的，Scotten在SemiWiki網(wǎng)站上寫一些晶圓代工商制程比較和“標(biāo)準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)”的文章。

“標(biāo)準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)”這個(gè)詞最早是由ASML提出的，是由制造商普遍共識(shí)的一些基本參數(shù)計(jì)算得來，可以稱之為真正的節(jié)點(diǎn)定義，而不是各個(gè)制造商標(biāo)榜的。

網(wǎng)站上名為“標(biāo)準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)趨勢(shì)（Standard Node Trend）”文章里，Jones描述了標(biāo)準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)以及他們的大致時(shí)間線，見下圖。

 

可以看出，英特爾的14nm確實(shí)比他們官方認(rèn)定的要先進(jìn)（按標(biāo)準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)的定義，14nm其實(shí)是12.1nm），但是和三星和臺(tái)積電目前的10nm比還是比較落后。而且，Scotten Jones還根據(jù)英特爾的密度定義計(jì)算了各制造商的先進(jìn)制程，計(jì)算結(jié)果與上圖的標(biāo)準(zhǔn)節(jié)點(diǎn)的結(jié)論一致。

 

在已經(jīng)量產(chǎn)的制程里，可以看出是臺(tái)積電更為先進(jìn)一些。


關(guān)鍵詞：晶圓

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