中國正大力發(fā)展存儲器行業(yè)
來源： 日期：2018-03-12 17:02:18
今年，中國新起步的存儲器制造商預計將達到一個重要的里程碑，并將進入初始量產(chǎn)階段，雖然在此之前它們遇到了各種問題和障礙。
國內(nèi)存儲器商家正在關注兩個市場，3D NAND和DRAM。在這兩個領域中，本地廠商要么就是技術落后，要么就是在努力開發(fā)這些產(chǎn)品，也有兩者兼而有之。
中國目前正在全力發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)、 IC設計、邏輯工藝制造和封裝。憑借數(shù)十億美元的資金支持，中國希望發(fā)展國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)，因為中國目前使用的絕大部分芯片都是進口的，這造成了巨大的貿(mào)易逆差。
在邏輯工藝制造上，中國多年來在貿(mào)易逆差方面取得了微小的進展。中國開展了幾個重大項目以縮小這一差距。其中包括：
清華紫光最近宣布了3個大型存儲器項目，耗資840億美元。目標是建造九座晶圓廠，但目前只有一座正在建設中。它專注于3D NAND，目前已試產(chǎn)32層NAND，64層NAND技術正在研發(fā)中。
另外兩家中國公司福建晉華集成電路有限公司和睿力集成電路有限公司（Innotron）也將分別在新的300mm晶圓廠增加22nm的DRAM。
中國能否在市場上站穩(wěn)腳跟現(xiàn)在還不清楚。本地供應商擁有一些IP，但基本上都是從零開始。為了推動存儲領域的發(fā)展，中國曾試圖收購跨國存儲器制造商或組建聯(lián)盟。但是因為國家安全和IP問題，大多數(shù)國家對此瞻前顧后。
所以，中國必須獨立研發(fā)大部分技術。但在競爭激烈的存儲器市場，中國很難追趕上英特爾、三星、美光、SK海力士、東芝和Western Digital等跨國公司。
這不禁讓人質(zhì)疑中國的存儲器制造商能否在長期內(nèi)取得成功。一些分析師持悲觀態(tài)度，稱中國廠商缺乏核心競爭力技術，另一些人則對中國在存儲器領域的發(fā)展相對樂觀。
市場研究機構International Business Strategies的首席執(zhí)行官Handel Jones表示：“我們對NAND的態(tài)度比DRAM更為樂觀，但這需要一些時間。中國有能力獲得NAND市場的份額，但這仍然需要領先的技術。對于一家新的DRAM公司而言，進入市場并獲得技術是非常艱難的。”
據(jù)了解，中國距離開發(fā)64層3D NAND器件大約需要6到9個月的時間，這一技術可以讓中國名揚世界。消息人士稱，大規(guī)模量產(chǎn)仍需一到兩年，因此中國能否制造出可靠的器件還有待觀察。
有些人對市場有不同的看法。Semico Research公司的制造部總經(jīng)理Joanne Itow在最近的博客中表示：“Semico認為，三家中國存儲器公司都取得成功概率較低，但其中某一家公司取得成功則很有可能。”
Semico稱，預計到2021年，中國國內(nèi)存儲器供應商的產(chǎn)能將從現(xiàn)在的幾乎為零增加到超過300,000wpm（wafer/每月）。雖然這聽起來可能讓人印象深刻，但據(jù)Semico稱，到那時這只占全球存儲器容量的不到10%。
關鍵詞：
DRAM
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