據(jù)悉，三星位于西安的存儲工廠，目前主力產品為NAND Flash。按照三星計劃，新廠竣工后，西安NAND Flash月產能將由目前的12萬片增至20萬片，增幅67%。

 

2018年三星NAND FLASH的出貨量將會在同比增長36%，業(yè)界預測，三星2017年的增長主要是由平澤工廠的50K 3D NAND創(chuàng)造的，到2018年Q4，這個數(shù)字將會達到100K。但是總體數(shù)量的增加應該還是保持在個位數(shù)，根據(jù)預測，到2018年，三星3D NAND的產量將會達到320K/月，同比增長了18%

                     
 

同時除了三星外，其他閃存產商也在進行NAND Flash產能的擴充。韓國大廠SK 海力士在去年8就表示要在十年內，在韓國利川、清洲等地加碼建置三座半導體廠房?，F(xiàn)在SK 海力士對外公布了最新的新廠投資計劃，SK 海力士表示，新廠選址在韓國清州市科技城，將于同年9月動工展開設計、今年8 月開始外殼結構與無塵室建構，并于2019 年6 月完工，而屆時的設備機臺安裝將視公司的遷移計劃而定，新廠總投資金額將高達2.2 兆韓元，主要用于擴大NAND Flash 產能。

 

海力士新建的利川M14 廠雖將于明年轉進3D NAND Flash 量產，但官方更加清楚的表示，為了應對接下來3D NAND Flash 滲透率不斷攀升、加以建廠時需兩年，因此決議提前新建廠房布局。

 

另外，據(jù)報導，東芝 ( Toshiba )存儲器事業(yè)合作伙伴西部數(shù)據(jù)（Western Digital）將在未來3年內對雙方的合資事業(yè)投資5,000億日圓，除了將用于四日市工廠新廠房的興建費用之外、還將充作預計2020年啟用的北上工廠的投資資金。

 

去年底，東芝宣布Fab 7興建計劃，并表明未來每年將投入三千數(shù)百億日圓進行投資。

 

集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）指出，東芝Fab 7將廠址改設在巖手縣北上市，該廠投入量產的時程將落在2019年下半年后，主要投產96層以上的3D-NAND Flash，對整體產出真正產生影響將在2020年。

 

DRAMeXchange分析指出，基于各家供貨商皆在3D-NAND Flash具體新增產能，在2019年以后3D-NAND Flash市場預期會再度進入供過于求格局。

 

IHS Markit報告預估，明年全球NAND Flash供給將提高39.6%至2,441億GB。其中三星電子將帶頭增產，預料供給將增39%至879億GB。與此同時，明年全球NAND需求提高36.7%至2,424億GB，供給超出需求17億GB，供給過剩比率約為0.7%。這將會使得閃存邁入新一輪的殺價潮。

關鍵詞：NAND Flash

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