9個月建設(shè)工廠，7個月機臺搬入，建設(shè)節(jié)點不斷提前完成。按照計劃，今年四季度，設(shè)備有望點亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)負(fù)責(zé)人透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品是去年成功研發(fā)的中國首顆32層三維NAND閃存芯片，就在4月9日，這顆歷時2年、耗資10億美元、由1000人團(tuán)隊自主研發(fā)的芯片，獲得了中國電子信息博覽會（CITE2018）金獎。這是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，將有望使中國擠進(jìn)全球存儲芯片第一梯隊，強力提升“中國芯”的國際市場地位。

 

目前，全球存儲器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國企業(yè)手中，屬于相對壟斷市場。　　根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2017年全球閃存芯片銷量超過500億美元，同比增加45%，預(yù)計2020年銷量超過1000億美元。中國市場進(jìn)口超過半數(shù)，國產(chǎn)的存儲芯片基本上是空白。隨著全球市場需求量的不斷增加，近3年來，全球存儲芯片的價格不斷上漲。

 

紫光集團(tuán)表示，“前五年追趕技術(shù)，后五年增加產(chǎn)量”。目前長江存儲完成了32層三維NAND閃存芯片的自主研發(fā)，也將投入量產(chǎn)，但產(chǎn)量和成本還不足以影響市場。“后發(fā)優(yōu)勢是不會走太多冤枉路，速度更快一點，但別人也在跑，追上去仍要花力氣、花時間”，高啟全說，64層閃存產(chǎn)品研發(fā)也在迅速進(jìn)行，力爭2019年底實現(xiàn)產(chǎn)能爬坡量產(chǎn)，這樣，就能把與全球領(lǐng)先大廠的差距縮短在2年以內(nèi)，“希望用5年左右接近世界先進(jìn)水平”。



關(guān)鍵詞：NAND閃存

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