2、DRAM：動態(tài)隨機存取存儲器中每個存儲單元由配對出現(xiàn)的晶體管和電容器構(gòu)成，需要不斷地刷新。

 

　　3、FPM DRAM：快速頁模式動態(tài)隨機存取存儲器是最早的一種DRAM。在存儲器根據(jù)行列地址進行位元定位的全程中，F(xiàn)PM DRAM必須處于等待狀態(tài)，數(shù)據(jù)讀取之后才能開始處理下一位數(shù)據(jù)。向二級緩存的最高傳輸速率約為176MB每秒。

 

　　4、EDO DRAM：擴展數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器在處理前一位數(shù)據(jù)的過程中無需全程等待，就可以開始處理下一位數(shù)據(jù)。只要前一位數(shù)據(jù)的地址定位成功，EDO DRAM就開始為下一位數(shù)據(jù)尋址。它比FPM快5%左右。向二級緩存的最高傳輸速率約為264MB每秒。

 

　　5、SDRAM：同步動態(tài)隨機存取存儲器利用了爆發(fā)模式的概念，大大提升了性能。這種模式在讀取數(shù)據(jù)時首先鎖定一個記憶行，然后迅速掃過各記憶列，與此同時讀取列上的位元數(shù)據(jù)。之所以有這種設(shè)計思想，是因為多數(shù)時候CPU請求的數(shù)據(jù)在內(nèi)存中的位置是相鄰的。SDRAM比EDO RAM快5%左右，已成為當今臺式機內(nèi)存中應用最廣的一種。向二級緩存的最高傳輸速率約為528MB 每秒。

 

 

　　6、DDR SDRAM：雙倍速率同步動態(tài)RAM與SDRAM相似，但帶寬更高，即速度更快。向二級緩存的最高傳輸速率約為1064MB每秒。（133兆赫茲DDR SDRAM）。

 

　　7、RDRAM：Rambus動態(tài)隨機存取存儲器同先前的DRAM體系有著根本性的區(qū)別。由Rambus公司設(shè)計的RDRAM采用了Rambus直插式內(nèi)存模組（RIMM），在外形尺寸和引腳構(gòu)造方面類似于標準的DIMM。RDRAM與眾不同之處在于它采取一種特殊的高速數(shù)據(jù)總線設(shè)計，稱為Rambus信道。RDRAM內(nèi)存芯片在并行模式下工作頻率可達800兆赫（數(shù)據(jù)速率1600兆字節(jié)）。由于操作速率很高，RDRAM產(chǎn)生的熱量要大大多于其他類型的芯片。為了驅(qū)散多余的熱量，Rambus芯片配有散熱器，這種散熱器看上去就像是又長又薄的圓片。正如DIMM有其小外形版本一樣，生產(chǎn)商還為筆記本電腦設(shè)計了小外形RIMM。

 

　　8、信用卡內(nèi)存：信用卡內(nèi)存是一種享有專利權(quán)的獨立DRAM內(nèi)存模組，使用時要將其插入筆記本電腦的特制長槽中。

 

　　9、PCMCIA內(nèi)存卡：另一種用于筆記本電腦的獨立DRAM內(nèi)存模組，這種內(nèi)存卡不享有專利權(quán)，只要系統(tǒng)總線能與內(nèi)存卡設(shè)置相互匹配，即可用于各種筆記本電腦。

 

　　10、CMOS RAM：CMOS RAM這一術(shù)語是指用于電腦和其他設(shè)備中的一種小容量存儲器，用來存儲硬盤設(shè)置等信息——有關(guān)詳細信息，請查見為什么計算機需要電池？一文。這種內(nèi)存需要一個小型電池來供電，以維持存儲器的內(nèi)容。

 

　　11、VRAM：視頻RAM，亦稱多端口動態(tài)隨機存取存儲器（MPDRAM），為顯示適配器和3D加速卡所專用。所謂“多端口”是指VRAM通常會有兩個獨立的訪問端口，而非單一端口，允許CPU和圖形處理器同時訪問RAM。VRAM位于圖形卡上，且種類繁多，其中很多享有專利權(quán)。VRAM的大小往往能決定顯示器的分辨率和色深度。VRAM還可以用來保存一些圖形專用信息，例如3D幾何數(shù)據(jù)和質(zhì)素圖。真正的多端口VRAM往往價格不菲，因而當今的圖形卡使用SGRAM（同步圖形RAM）作為替代品。兩種顯存性能相差無幾，而SGRAM價格更為便宜。

 

　　
       優(yōu)點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低；常用作Cache

 

　　缺點：元件數(shù)多、集成度低、運行功耗大

關(guān)鍵詞：隨機存取存儲器

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