那些不具備時(shí)鐘輸入的sram便是異步型的。在這些器件中，讀操作和寫操作將在器件接收到指令之后立即被啟動(dòng)。采用異步型sram最大的優(yōu)點(diǎn)之一是它們擁有長達(dá)幾十年的使用歷史并已為人們所充分了解。由于異步型sram已經(jīng)面市很久了，因此許多標(biāo)準(zhǔn)處理器都包含了業(yè)已配備異步型sram接口的存儲(chǔ)控制器，從而最大限度地減少了所需的設(shè)計(jì)工作量。異步SRAM的典型存取時(shí)間為8ns（或更長）。因此，它們一般應(yīng)用于時(shí)鐘頻率為100mhz（或更低）的系統(tǒng)中。
 
異步型sram可被進(jìn)一步劃分為兩種主要類別：即快速異步型sram和低功耗異步型sram（mobltm）。
 
1：快速異步型sram存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型sram。這些存儲(chǔ)器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中，且功耗較高（1/2w或更高是司空見慣的）。其典型應(yīng)用包括老式pcl2高速緩沖存儲(chǔ)器、高速暫存器以及工業(yè)應(yīng)用中的緩沖存儲(chǔ)器。
 
2：mobltm低功耗異步型sram有些應(yīng)用（例如移動(dòng)電話）對(duì)功耗的關(guān)注程度要超過對(duì)性能的關(guān)注程度。因此，制造商（比如賽普拉斯公司）推出了功耗極低的sram系列。賽普拉斯的mobl（意指“更長的電池使用壽命”）低功耗異步型sram產(chǎn)品庫匯集了多款典型存取時(shí)間約為40ns（或更長）并專為實(shí)現(xiàn)低功耗而優(yōu)化的器件。典型待機(jī)功耗可低至10μw（或更低），而運(yùn)行功耗則可低至30mw（或更低）。這些器件的存儲(chǔ)密度各異，從64kb到16mb一應(yīng)俱全。


VTI異步SRAM型號(hào)表

型號(hào)	容量	位寬	溫度	電壓(V)	速度(ns)	封裝
VTI501LF08WM	1Mbit	128K x 8	Industrial	1.8	8/10/12	32sTSOP1
VTI501LF08NM	1Mbit	128K x 8	Industrial	1.8	8/10/12	36BGA
VTI501NF08WM	1Mbit	128K x 8	Industrial	3.3	8/10	32sTSOP1
VTI501NF08NM	1Mbit	128K x 8	Industrial	3.3	8/10	36BGA
VTI501HF08WM	1Mbit	128K x 8	Industrial	5	10	32sTSOP1
VTI501HF08NM	1Mbit	128K x 8	Industrial	5	10	36BGA
VTI501LF16VM	1Mbit	64K x 16	Industrial	1.8	8/10/12	44TSOP2
VTI501LF16LM	1Mbit	64K x 16	Industrial	1.8	8/10/12	48BGA
VTI501NF16VM	1Mbit	64K x 16	Industrial	3.3	8/10	44TSOP2
VTI501NF16LM	1Mbit	64K x 16	Industrial	3.3	8/10	48BGA
VTI501HF16VM	1Mbit	64K x 16	Industrial	5	10	44TSOP2
VTI501HF16LM	1Mbit	64K x 16	Industrial	5	10	48BGA

關(guān)鍵詞：異步SRAM