由于硬件成本原因，在許多嵌入式處理器中并沒有集成EEPROM 模塊，通常我們可以采用在片內FLASH存儲器中保存非易失性數(shù)據的應用方式來達到使用要求。對一些普通的應用場合，這種使用方式可以滿足要求。本應用筆記介紹了使用代碼區(qū)域Flash 來模擬EEPROM，通過一定的軟件處理算法，可以增加數(shù)據存儲周期的一種方法。本文給出了實現(xiàn)上述功能的軟件流程。
 
1.1 寫方法
 
外置EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM的最大不同之處在于寫的方法。
 
EEPROM：對EEPROM 的寫操作不需要額外的操作，只需要提供電源供給;但是一旦啟動寫操作流程后，寫操作不能夠被打斷。所以需要外接電容器等措施來保證在芯片掉電時能夠維持供電，保證完成數(shù)據操作。
 
Flash 模擬EEPROM：當芯片上電后，寫操作可以被電源掉電和芯片復位打斷。和EEPROM 相比，需要應用設計者增加相關的處理來應對可能存在的異常。
 
1.2 擦寫時間
 
EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM在擦除時間上存在很大的差異。
 
與Flash 不同，EEPROM 在進行寫操作之前不要擦除操作。由于Flash 需要幾個毫秒時間進行擦除操作，所以如果在進行擦除操作的過程中出現(xiàn)電源掉電的情況，需要軟件做相關的保護處理。為了設計一個健壯的Flash 存儲器的管理軟件，需要深入的了解和掌握Flash 存儲器的擦除過程特性。
 
 
1.3 寫訪問時間
 
由于EEPROM 和Flash 的工作特性不同，所以寫訪問時間也不相同。Flash 具有更短的寫訪問時間，所以更適用于對存儲速度有要求的場合。
 
 
關鍵詞：FLASH