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存儲單元分類
來源：宇芯有限公司 日期：2020-04-29 11:36:21
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲單元，再通過位線對所觸發(fā)的存儲單元進(jìn)行讀出或?qū)懭搿Ｔ陟o態(tài)CMOS存儲器中，存儲單元陣列將會占去整個(gè)存儲器芯片面積的一半以上，在一些大容量的SRAM中，這個(gè)比例還要更大一些。因而減小存儲單元的面積變得尤為重要。
在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分為組，組內(nèi)所有的存儲元同時(shí)進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮?，這樣的一組存儲元稱為一個(gè)存儲單元。一個(gè)存儲單元通?？梢源娣乓粋€(gè)字節(jié)；存儲單元是CPU訪問存儲器的基本單位.
從結(jié)構(gòu)上分，CMOS SRAM 存儲單元有電阻-晶體管結(jié)構(gòu)（4T-2R 存儲單元）和靜態(tài)六管全互補(bǔ)結(jié)構(gòu)（6T 存儲單元）。
4T-2R 存儲單元的存儲器并非完全意義的CMOS 電路，它們的存儲單元往往選用同一溝道的晶體管，而在外圍電路的實(shí)現(xiàn)中采用了CMOS 電路；與6T 單元10 高速低功耗SRAM的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)相比，采用單一溝道的存儲單元不但會減少工藝的復(fù)雜度，而且能有效的減小芯片面積，這主要是因?yàn)椴恍枰~外的面積來隔離N-well 或P-well。
六管存儲單元采用了一根單一的字線、一根位線和一根反相的位線。互為反相的兩根位線通常稱為 bit和bit_。單元中包括了一對交叉耦合的反相器，并且每根位線連接了一個(gè)存取晶體管。一對互補(bǔ)的數(shù)據(jù)存儲在交叉耦合的反相器上。如果數(shù)據(jù)受到輕微的干擾，由回路構(gòu)成的正反饋將使數(shù)據(jù)恢復(fù)到VDD或GND。
Vilsion常用串行SRAM型號表
關(guān)鍵詞：SRAM
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分為組，組內(nèi)所有的存儲元同時(shí)進(jìn)行讀出或?qū)懭氩僮?，這樣的一組存儲元稱為一個(gè)存儲單元。一個(gè)存儲單元通?？梢源娣乓粋€(gè)字節(jié)；存儲單元是CPU訪問存儲器的基本單位.
從結(jié)構(gòu)上分，CMOS SRAM 存儲單元有電阻-晶體管結(jié)構(gòu)（4T-2R 存儲單元）和靜態(tài)六管全互補(bǔ)結(jié)構(gòu)（6T 存儲單元）。
圖1 4T-2R存儲單元結(jié)構(gòu) 圖2 6T 存儲單元結(jié)構(gòu)
4T-2R 存儲單元的存儲器并非完全意義的CMOS 電路，它們的存儲單元往往選用同一溝道的晶體管，而在外圍電路的實(shí)現(xiàn)中采用了CMOS 電路；與6T 單元10 高速低功耗SRAM的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)相比，采用單一溝道的存儲單元不但會減少工藝的復(fù)雜度，而且能有效的減小芯片面積，這主要是因?yàn)椴恍枰~外的面積來隔離N-well 或P-well。
六管存儲單元采用了一根單一的字線、一根位線和一根反相的位線。互為反相的兩根位線通常稱為 bit和bit_。單元中包括了一對交叉耦合的反相器，并且每根位線連接了一個(gè)存取晶體管。一對互補(bǔ)的數(shù)據(jù)存儲在交叉耦合的反相器上。如果數(shù)據(jù)受到輕微的干擾，由回路構(gòu)成的正反饋將使數(shù)據(jù)恢復(fù)到VDD或GND。
Vilsion常用串行SRAM型號表
| 型號 | 容量 | 位寬 | 電壓(V) | 速度(MHz) | 接口 | 溫度 | 封裝 | 包裝 | 狀態(tài) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VTI7064LSM | 64Mbit | 8M x 8 | 1.8 | 104 | SQI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7064LSM | 64Mbit | 8M x 8 | 1.8 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7064MSM | 64Mbit | 8M x 8 | 3 | 104 | SQI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7064MSM | 64Mbit | 8M x 8 | 3 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7032LSM | 32Mbit | 4M x 8 | 1.8 | 133 | SQI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7032LSM | 32Mbit | 4M x 8 | 1.8 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7016LSM | 16Mbit | 2M x 8 | 1.8 | 133 | SQI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7016LSM | 16Mbit | 2M x 8 | 1.8 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7001NSM | 1Mbit | 128K x 8 | 3.3 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7001LSM | 1Mbit | 128K x 8 | 1.8 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7512NSM | 512Kbit | 64K x 8 | 3.3 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7512LSM | 512Kbit | 64K x 8 | 1.8 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7256NSM | 256Kbit | 32K x 8 | 3.3 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7256LSM | 256Kbit | 32K x 8 | 1.8 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7128LSM | 128Kbit | 16K x 8 | 1.8 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
| VTI7128NSM | 128Kbit | 16K x 8 | 3.3 | 20 | SPI | C,I | 8-SOIC | Tube，T&R | MP |
關(guān)鍵詞：SRAM
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