當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng)，力求節(jié)約能源，因此強(qiáng)烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化，SRAM要求低電壓供電。因而近年來(lái)研究低電壓供電技術(shù)活動(dòng)十分活躍。在高速SRAM里，既要求高速度又要求低功耗，這是互相矛盾的兩種要求。宇芯電子主要為工業(yè)控制，物聯(lián)網(wǎng)，智能控制，消費(fèi)類電子，儀表儀器等市場(chǎng)領(lǐng)域提供各種類型的SRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品，包括低功耗SRAM、高速SRAM、同步SRAM等.
 
SRAM市場(chǎng)動(dòng)向
 
●低功耗sram
移動(dòng)電話和尋呼機(jī)等便攜電子產(chǎn)品市場(chǎng)里，要求機(jī)器小型、輕便和由電池長(zhǎng)時(shí)間供電;因此，便攜電子產(chǎn)品也要求SRAM器件實(shí)現(xiàn)低電壓供電例如要求供電電壓低到2.5V乃至1.8V;同時(shí)要求SRAM的等待狀態(tài)電流值和保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)所必要的電流值都應(yīng)該大幅度縮小，而且封裝結(jié)構(gòu)必須小型化，例如要采用芯片規(guī)模(尺寸)封裝CSP 。特別值得提及的是，面向移動(dòng)電話的SRAM, 要求兼顧SRAM和快閃存儲(chǔ)器芯片，放在同一封裝結(jié)構(gòu)里如像利用迭層封裝。
 
●高速sram
在檢測(cè)、測(cè)量試驗(yàn)機(jī)器、交換機(jī)和基地站等測(cè)試和通信市場(chǎng)里,對(duì)于高速SRAM器件需求強(qiáng)烈:例如，要求高速SRAM采用5V/3.3V供電，存取速度為10~15ns,存儲(chǔ)容量為1Mb ~4Mb。
 
●同步SRAM
作為PC機(jī)二級(jí)緩沖存儲(chǔ)器雖然用同步SRAM 器件,但是現(xiàn)在的微處理器芯片里通常都內(nèi)置有同步SRAM.因此，作為PC機(jī)一級(jí)緩沖存儲(chǔ)器對(duì)干SRAM的需求量.今后將愈來(lái)愈少。與此相反，上程工作站EWS 和服務(wù)器要求外接的二級(jí)緩沖存儲(chǔ)器,卻愈來(lái)愈需要大量的高速同步SRAM器件。另外在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用領(lǐng)域里，現(xiàn)已出現(xiàn)一種具備“零總線交換”ZBTM新功能的同步SRAM產(chǎn)品.


代理VTI SRAM

型號(hào)	位寬	容量	溫度	電壓(V)	速度(ns)	C/S Option	封裝
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	48BGA
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508HB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	48BGA
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	44TSOP2

 
 
 
關(guān)鍵詞：SRAM  SRAM市場(chǎng)