FRAM架構采用鐵電材料作為存儲器件，這些材料具有一個固有的電偶極子，該偶極子在外部電場的作用下轉換為相反的極性。 FRAM中的讀取操作具有破壞性，因為它需要切換極化狀態(tài)才能感知其狀態(tài)。在初次讀取后，讀取操作必須將極化恢復到其原始狀態(tài)，這會增加讀取操作的周期時間。寫周期需要一個初始的“預充電”時間，這可能會增加初始訪問時間。環(huán)境溫度高于85°C，由于自由電荷的積累導致FRAM磨損，從而導致影響10年的數(shù)據(jù)保留。
 
Everspin MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。MRAM使用更簡單的1晶體管，1磁性隧道結單元構建。簡單的Everspin MRAM單元可提高制造效率并提高可靠性.MRAM使用磁隧道結技術進行非易失性存儲。高溫下數(shù)據(jù)不會泄漏，并且沒有磨損機制來限制讀，寫的次數(shù)撥動式MRAM可靠性的另一個重要方面是保持數(shù)據(jù)免受熱磁化翻轉引起的錯誤的影響。進行了加速烘烤測試，在150°C下的2000 h至260°C下的2h的條件下烘烤了三批中的1500個代表性4-Mb零件，并且所有零件的數(shù)據(jù)保留翻轉均為零。外推回工作溫度表明數(shù)據(jù)保留壽命超過20年。由于磁性材料固有的堅固耐用性，MRAM還具有抗輻射性能。
 
Everspin Technologies的SPI MRAM在磁場環(huán)境中操作時對數(shù)據(jù)損壞的敏感性較低，因此可以幫助工程師設計高抗磁能力的可靠系統(tǒng)。最大情況?？捎糜赟PI MRAM的外部磁場為12000 A / m（150高斯），在寫，讀和待機操作期間。 Everspin Technologies提供了有關如何在其中操作MRAM的具體指南。


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