關(guān)于手機(jī)內(nèi)存標(biāo)稱容量和實(shí)際容量不一致的話題再次引起了廣泛關(guān)注。那么這些數(shù)碼產(chǎn)品的標(biāo)稱存儲(chǔ)容量和實(shí)際存儲(chǔ)容量為何會(huì)有差別呢?下面存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子簡(jiǎn)單敘述一下關(guān)于存儲(chǔ)芯片壞塊的存在。
 
存儲(chǔ)芯片壞塊的存在
存儲(chǔ)芯片的種類五花八門，存儲(chǔ)芯片分為易失性存儲(chǔ)芯片（RAM）和非易失性存儲(chǔ)芯片（NVM）。
 
其中，易失性存儲(chǔ)芯片又稱隨機(jī)存取記憶體，即它在任何時(shí)候都可以讀寫。不過，當(dāng)電源關(guān)閉后，易失性存儲(chǔ)芯片不能保留數(shù)據(jù)，如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入到一個(gè)長期的存儲(chǔ)器中，如硬盤。
 
目前，易失性存儲(chǔ)芯片分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）。他們之間的不同在于生產(chǎn)工藝的不同。SRAM保存數(shù)據(jù)是靠晶體管鎖存的，而DRAM保存數(shù)據(jù)靠電容充電來維持。SRAM讀寫速度快，生產(chǎn)成本高，多用于容量較小的高速緩沖存儲(chǔ)器，而DRAM讀寫速度較慢，集成度高，生產(chǎn)成本低，多用于容量較大的主存儲(chǔ)器。
 
與易失性存儲(chǔ)芯片相對(duì)應(yīng)的是非易失性存儲(chǔ)芯片。這類儲(chǔ)存芯片當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的存儲(chǔ)器，我們口中常稱的內(nèi)存就是這類芯片。
 
Nor Flash和Nand Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存芯片，Nand flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡(jiǎn)單，Nand結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。同時(shí)由于Nand Flash 擦除速度遠(yuǎn)高于Nor Flash，因此Nand Flash在大容量存儲(chǔ)領(lǐng)域應(yīng)用更加廣泛，比如U盤、SSD固態(tài)硬盤和eMMC存儲(chǔ)器里面的主要存儲(chǔ)單元等都是應(yīng)用的Nand Flash。
 
由于生產(chǎn)工藝及結(jié)構(gòu)的原因，NAND Flash不能保證每個(gè)存儲(chǔ)單元是好的，無法避免的會(huì)產(chǎn)生壞塊，這些無效塊無法確定編程時(shí)的狀態(tài)，就是大家常說的“壞塊”。
 
之前某些廠家也有做過消除壞塊的努力，但是效果都不理想，壞塊是隨機(jī)產(chǎn)生的，因此廠家并不能完全控制可用存儲(chǔ)塊的容量。
 
“壞塊”會(huì)占據(jù)一部分NAND Flash的存儲(chǔ)空間，這樣就會(huì)出現(xiàn)128GB的標(biāo)稱存儲(chǔ)容量，實(shí)際可使用的空間就只有112G的容量可以做文件存儲(chǔ)使用。


關(guān)鍵詞： DRAM SRAM

宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。