內(nèi)存Flash是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應用和數(shù)據(jù)等。在PC系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板BIOS中。絕大部分的U盤、SD Card等移動存儲設備也都是使用內(nèi)存Flash作為存儲介質(zhì)。
 
內(nèi)存Flash的主要特性
 
與傳統(tǒng)的硬盤存儲器相比，內(nèi)存Flash具有質(zhì)量輕、能耗低、體積小、抗震能力強等的優(yōu)點，但也有不少局限性，主要如下：
 
需要先擦除再寫入
內(nèi)存Flash寫入數(shù)據(jù)時有一定的限制。它只能將當前為1的比特改寫為0，而無法將已經(jīng)為0的比特改寫為1，只有在擦除的操作中，才能把整塊的比特改寫為1。
 
塊擦除次數(shù)有限
內(nèi)存Flash的每個數(shù)據(jù)塊都有擦除次數(shù)的限制（十萬到百萬次不等），擦寫超過一定次數(shù)后，該數(shù)據(jù)塊將無法可靠存儲數(shù)據(jù)，成為壞塊。
 
為了最大化的延長內(nèi)存Flash的壽命，在軟件上需要做擦寫均衡（WearLeveling），通過分散寫入、動態(tài)映射等手段均衡使用各個數(shù)據(jù)塊。同時，軟件還需要進行壞塊管理（Bad Block Management，BBM），標識壞塊，不讓壞塊參與數(shù)據(jù)存儲。（注：除了擦寫導致的壞塊外，內(nèi)存Flash在生產(chǎn)過程也會產(chǎn)生壞塊，即固有壞塊。）
 
讀寫干擾
由于硬件實現(xiàn)上的物理特性，內(nèi)存Flash在進行讀寫操作時，有可能會導致鄰近的其他比特發(fā)生位翻轉(zhuǎn)，導致數(shù)據(jù)異常。這種異常可以通過重新擦除來恢復。內(nèi)存Flash應用中通常會使用ECC等算法進行錯誤檢測和數(shù)據(jù)修正。
 
電荷泄漏
存儲在內(nèi)存Flash存儲單元的電荷，如果長期沒有使用，會發(fā)生電荷泄漏，導致數(shù)據(jù)錯誤。不過這個時間比較長，一般十年左右。此種異常是非永久性的，重新擦除可以恢復。

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