到2024年，MRAM的市場規(guī)模將增加40倍。2018年MRAM制造技術是40nm，而在2024年，預測其制造工藝將減少到16nm，存儲容量則會從1Gbit增加到8Gbit。2018年至2024年間，MRAM市場規(guī)模將以年均85％的速度增長，到2024年將達到17.8億美元。現(xiàn)在已經較為成熟的eMRAM在2026年市場規(guī)模將達到約17億美元，相當于整個新興eNVM市場的76%左右。
 
目前臺積電、聯(lián)電、三星、intel等公司同時在對RRAM和MRAM進行投資，eRRAM也將是MRAM強大的對手。根據統(tǒng)計，臺積電已透過嵌入式OxRAM豐富其40nm ULP11制程，目前以22nm制程生產OxRAM。Dialog Semiconductors授權格芯使用Adesto CBRAM技術，目前格芯正將其用于22nm FDSOI上實施，用于低功耗消費類應用。聯(lián)電正與松下合作開發(fā)28nm OxRAM，未來幾年或將瞄準進軍智能卡市場。
 
中國半導體產業(yè)鏈的公司在MRAM上研究起步較晚， 其中Fabless企業(yè)亙存科技是國內少有的已經生產基于MRAM技術的創(chuàng)業(yè)公司。
 
亙存科技，杭州馳拓、上海磁宇、中芯國際、華為等公司也在籌建自旋芯片的研發(fā)、生產線。長江存儲、長鑫存儲、兆易創(chuàng)新自旋芯片仍處于前期研發(fā)階段，但目前沒有進入量產。作為半導體的技術大腦，國內大學和科研院所也在發(fā)力。2017年，北京航空航天大學與中國科學院微電子研究所聯(lián)合成功制備國內首個80nm STT-MRAM器件。
 
中科院微電子所表示，其在國內首次采用可兼容CMOS工藝成功制備出直徑80nm磁隧道結，器件性能良好，其中器件核心參數(shù)包括隧穿磁阻效應達到92%，可實現(xiàn)純電流翻轉且電流密度達到國際領先水平。 

關鍵詞： MRAM

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