Everspin代理4Mb串口MRAM存儲(chǔ)芯片MR25H40CDF
來(lái)源： 日期：2022-03-29 10:21:39
Everspin科技有限公司是全球領(lǐng)先的設(shè)計(jì), 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產(chǎn)商，自從Everspin第一款產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)，由于MRAM可以保持?jǐn)?shù)據(jù)持久性和完整性、低功耗等特性，在應(yīng)用程序設(shè)計(jì)中起到了安全性至關(guān)重要的作用，現(xiàn)在在數(shù)據(jù)中心、云存儲(chǔ)、能源、工業(yè)、汽車(chē)和運(yùn)輸市場(chǎng)應(yīng)用超過(guò) 7000萬(wàn) MRAM 和 MRAM 產(chǎn)品, Everspin 科技公司為世界上 MRAM 用戶建立了最強(qiáng)大、最迅速的基礎(chǔ)。
MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量為4Mb的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM)。位寬512K x 8。MR25H40CDF擁有35ns的讀/寫(xiě)周期（無(wú)寫(xiě)入延遲），以及出色的耐讀/寫(xiě)能力。數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，是理想的內(nèi)存解決方案。
MR25H40CDF具有串行EEPROM 和串行閃存兼容的讀/寫(xiě)時(shí)序，沒(méi)有寫(xiě)延遲和無(wú)限的讀/寫(xiě)耐久性。與其他串行存儲(chǔ)器不同，MR25H40CDF系列的讀取和寫(xiě)入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生，寫(xiě)入之間沒(méi)有延遲。
MR25H40CDF系列可在廣泛的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。MR25H40 (40MHz) 提供工業(yè)級(jí)（-40℃至 +85℃）、擴(kuò)展級(jí)（-40 至 105℃）和 AEC-Q100 1 級(jí)（-40℃ 至 +125℃）工作溫度范圍選項(xiàng)。采用 5 x 6mm、8引腳DFN封裝。引腳排列與串行 SRAM、EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問(wèn)題和不利因素。
Everspin Technologies MR25H40CDF容量為4Mb的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM)。MR25H40CDF擁有35ns的讀/寫(xiě)周期（無(wú)寫(xiě)入延遲），以及出色的耐讀/寫(xiě)能力。數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。對(duì)于必須快速、永久地存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR25H40CDF在較為寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。溫度范圍0至+70°C），用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問(wèn)題和不利因素
產(chǎn)品型號(hào)參考如下：
|
型號(hào) |
容量 |
位寬 |
電壓(V) |
溫度 |
封裝 |
MOQ /托盤(pán) |
| MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
570 |
| MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
| MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
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