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ISSI為汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)推出符合AEC-Q100要求的512Mb SPI NOR閃存
對(duì)ISSI汽車(chē)級(jí)512Mb串行(SPI)NOR閃存產(chǎn)品支持-40C至125C的寬工作溫度范圍,使其非常適合下一代汽車(chē),工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用。512Mb SPI NOR器件超出了AECQ100的要求,并已準(zhǔn)備就緒,可用于PPAP。
2020-08-20
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ISSI汽車(chē)異步SRAM
ISSI已通過(guò)IS09001:2000認(rèn)證。目前汽車(chē)生產(chǎn)流程中的所有分包商均已通過(guò)ISO TS16949認(rèn)證。所有新產(chǎn)品入選均達(dá)到或超過(guò)AEC-Q100認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的要求。
2020-08-19
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高可靠性的cypress異步SRAM
Cypress半導(dǎo)體公司生產(chǎn)高性能SRAM產(chǎn)品,用于數(shù)據(jù)傳輸、遠(yuǎn)程通訊、PC和軍用系統(tǒng)。異步快速存儲(chǔ)器芯片簡(jiǎn)稱(chēng)為:AsyncSRAM,速度一般在8 10 15n
2020-08-18
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非易失性FRAM中的預(yù)充電操作
FRAM中的讀取操作具有破壞性,因?yàn)樗枰袚Q極化狀態(tài)才能感知其狀態(tài)。在初始讀取之后,讀取操作必須將極化恢復(fù)到其原始狀態(tài),這會(huì)增加讀取操作的周期時(shí)間。
2020-08-17
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Everspin MRAM優(yōu)化系統(tǒng)能耗
對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器,寫(xiě)電流遠(yuǎn)高于讀或待機(jī)電流。因此,在對(duì)功耗敏感的應(yīng)用中,尤其是在需要頻繁進(jìn)行內(nèi)存寫(xiě)入的系統(tǒng)中,需要考慮寫(xiě)入時(shí)間。
2020-08-14
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工業(yè)和消費(fèi)者HMI系統(tǒng)中的擴(kuò)展內(nèi)存
傳統(tǒng)上,HMI由MCU,MPU或FPGA控制,并使用SDRAM或PSRAM用于代碼執(zhí)行和圖形緩沖。但是,這種方法極大地?fù)p害了HMI系統(tǒng)的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便性,功耗和占地面積。
2020-08-13
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