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異步快速Async Fast
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異步快速存儲(chǔ)器芯片(Async Fast SRAM)異步快速存儲(chǔ)器芯片(Async Fast SRAM)

一般來(lái)說(shuō)單片機(jī)MCU會(huì)采用異步靜態(tài)歲級(jí)存儲(chǔ)器,
另外有些以并行方式接口的模擬/數(shù)字I/O器件,如A/D、D/A、開(kāi)入/開(kāi)出等,也會(huì)采用異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器比DRAM快些,并依賴(lài)于CPU的時(shí)鐘,
存取速度有12ns、15ns和18ns三種,值越小,表示存取數(shù)據(jù)的速度越快。
issiISSI用0.25微米工藝技術(shù)生產(chǎn)最新進(jìn)的SRAM產(chǎn)品,產(chǎn)品都是由代工服務(wù)商代為生產(chǎn),以下產(chǎn)品是為異步快速存儲(chǔ)器芯片簡(jiǎn)稱(chēng)為:Async Fast SRAM,速度一般在8/10/15ns,電壓范圍在1.65V~5V,可以滿足大部分應(yīng)用的電壓設(shè)計(jì),NETSOL品牌的容量大小高達(dá)32Mbit,相對(duì)Lyontek產(chǎn)品容量較大,如需要容量較大的應(yīng)用設(shè)計(jì),可以采取NETSOL品牌的產(chǎn)品。
型號(hào) 容量 位寬 電壓(V) 速度(ns) 封裝(Pins) PDF
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