MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存儲(chǔ)單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)，而無(wú)需使用SRAM所需的備用電池。MB85R2001中使用的存儲(chǔ)單元可用于1010次讀/寫(xiě)操作，與Flash存儲(chǔ)器 和E2PROM支持的讀和寫(xiě)操作數(shù)量相比，有了顯著改進(jìn)。使用與常規(guī)異步SRAM兼容的偽SRAM接口。
 
引腳
   
富士通的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存儲(chǔ)器，具有高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入，低功耗和提供大量寫(xiě)入周期的能力。
 
框圖

 
MB85R2001和MB85R2002 FRAM芯片是汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)，多功能打印機(jī)，測(cè)量?jī)x器和其他高級(jí)應(yīng)用的理想選擇，這些應(yīng)用可以使用非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)各種參數(shù)，記錄設(shè)備的運(yùn)行狀況并保存安全信息。
 
 
MB85R2001的配置為256K字x 8位，而MB85R2002的配置為128K字x 16位。MB85R2001和MB85R2002均具有100ns的讀取訪問(wèn)時(shí)間和150ns的讀/寫(xiě)周期時(shí)間。MB85R2001和MB85R2002的工作電壓為3V至3.6V。富士通代理商提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。

關(guān)鍵詞：FRAM   富士通FRAM