憑借可服務于各種高可靠性工業(yè)，通信，數(shù)據(jù)處理，醫(yī)療，消費和軍事應用的性能，快速和微功耗（MoBL®）SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與上一代異步SRAM兼容的外形匹配功能。這使您無需投資進行PCB重新設計即可提高系統(tǒng)可靠性。

 
高可靠性：軟錯誤率<0.1FIT/Mbit
ERR引腳指示單位錯誤
密度選項：4Mbit，8Mbit，16Mbit
快速訪問時間：10ns（FAST）
超低待機電流：8.7μA（4-MbitMoBL®）
總線寬度配置：x8，x16和x32
寬工作電壓范圍：1.8-5.0V
工業(yè)和汽車溫度等級
PowerSnooze™
   
賽普拉斯是第一家提供新器件系列的SRAM制造商，該器件系列將快速異步SRAM的訪問時間與獨特的超低功耗睡眠模式（PowerSnooze™）相結(jié)合。帶有PowerSnooze的快速SRAM消除了異步SRAM應用中性能與功耗之間的折衷。在這一新的設備系列中，通過提供一種稱為PowerSnooze的新型超低功耗睡眠模式，可以實現(xiàn)現(xiàn)有產(chǎn)品系列的最佳功能。PowerSnooze是標準異步SRAM操作模式（活動，待機和數(shù)據(jù)保留）的附加操作模式。深度睡眠引腳（DS＃）使器件可以在高性能活動模式和超低功耗PowerSnooze模式之間切換。在4Mbit器件上的深度睡眠電流低至15μA時，
 
異步SRAM技術增強
糾錯碼（ECC）
賽普拉斯最新一代的異步SRAM器件使用（38,32）漢明碼ECC進行單位錯誤檢測和糾正。賽普拉斯超可靠異步SRAM中的硬件ECC塊可以在線執(zhí)行所有與ECC相關的功能，而無需用戶干預。
 
多位交織
高能量的地外輻射會翻轉(zhuǎn)多個相鄰位，從而導致多位錯誤。糾錯碼的單比特錯誤檢測和糾正功能通過比特交織方案得到補充，以防止出現(xiàn)多比特錯誤。
 
這些功能加在一起，可以顯著改善軟錯誤率（SER）性能，從而導致業(yè)界領先的FIT率低于0.1FIT/Mbit。

我司是CYPRESS代理,提供超低功耗異步SRAM等產(chǎn)品


關鍵詞：SRAM