憑借可服務(wù)于各種高可靠性工業(yè)，通信，數(shù)據(jù)處理，醫(yī)療，消費(fèi)和軍事應(yīng)用的性能，快速和微功耗（MoBL®）SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與上一代異步SRAM兼容的外形匹配功能。這使您無(wú)需投資進(jìn)行PCB重新設(shè)計(jì)即可提高系統(tǒng)可靠性。

 
高可靠性：軟錯(cuò)誤率<0.1FIT/Mbit
ERR引腳指示單位錯(cuò)誤
密度選項(xiàng)：4Mbit，8Mbit，16Mbit
快速訪問(wèn)時(shí)間：10ns（FAST）
超低待機(jī)電流：8.7μA（4-MbitMoBL®）
總線寬度配置：x8，x16和x32
寬工作電壓范圍：1.8-5.0V
工業(yè)和汽車(chē)溫度等級(jí)
PowerSnooze™
   
賽普拉斯是第一家提供新器件系列的SRAM制造商，該器件系列將快速異步SRAM的訪問(wèn)時(shí)間與獨(dú)特的超低功耗睡眠模式（PowerSnooze™）相結(jié)合。帶有PowerSnooze的快速SRAM消除了異步SRAM應(yīng)用中性能與功耗之間的折衷。在這一新的設(shè)備系列中，通過(guò)提供一種稱(chēng)為PowerSnooze的新型超低功耗睡眠模式，可以實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有產(chǎn)品系列的最佳功能。PowerSnooze是標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM操作模式（活動(dòng)，待機(jī)和數(shù)據(jù)保留）的附加操作模式。深度睡眠引腳（DS＃）使器件可以在高性能活動(dòng)模式和超低功耗PowerSnooze模式之間切換。在4Mbit器件上的深度睡眠電流低至15μA時(shí)，
 
異步SRAM技術(shù)增強(qiáng)
糾錯(cuò)碼（ECC）
賽普拉斯最新一代的異步SRAM器件使用（38,32）漢明碼ECC進(jìn)行單位錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正。賽普拉斯超可靠異步SRAM中的硬件ECC塊可以在線執(zhí)行所有與ECC相關(guān)的功能，而無(wú)需用戶干預(yù)。
 
多位交織
高能量的地外輻射會(huì)翻轉(zhuǎn)多個(gè)相鄰位，從而導(dǎo)致多位錯(cuò)誤。糾錯(cuò)碼的單比特錯(cuò)誤檢測(cè)和糾正功能通過(guò)比特交織方案得到補(bǔ)充，以防止出現(xiàn)多比特錯(cuò)誤。
 
這些功能加在一起，可以顯著改善軟錯(cuò)誤率（SER）性能，從而導(dǎo)致業(yè)界領(lǐng)先的FIT率低于0.1FIT/Mbit。

我司是CYPRESS代理,提供超低功耗異步SRAM等產(chǎn)品


關(guān)鍵詞：SRAM