ISSI IS64WV204816BLL是一款高速32M位靜態(tài)SRAM，按16位組織為2048K字。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合，產(chǎn)生了高性能和低功耗的設(shè)備。采用JEDEC標準48引腳TSOP（I型）和48引腳迷你BGA（6mmx8mm）封裝。代理商宇芯電子支持提供產(chǎn)品應(yīng)用解決方案.
 
IS64WV204816BLL特征
•高速存取時間：10ns、12ns
•高性能、低功耗的CMOS工藝
•多個中心電源和接地引腳，以提高抗噪性
•使用CS#和OE#輕松擴展內(nèi)存
•TTL兼容輸入和輸出
•單電源
–2.4V-3.6VVDD
•引腳：
-48球迷你BGA(6mmx8mm)
-48針TSOP(TypeI)
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛可用
•高字節(jié)和低字節(jié)的數(shù)據(jù)控制
 
功能說明
SRAM是一種隨機存取存儲器。每個字節(jié)或字都有一個地址，可以隨機訪問。SRAM支持三種不同的模式。下面用真值表描述每個函數(shù)。
 
待機模式
取消選擇（CS#高電平）時，設(shè)備進入待機模式。輸入和輸出引腳(I/O0-15)處于高阻抗狀態(tài)。此模式下的CMOS輸入將最大限度地節(jié)省功耗。
 
寫模式
芯片選擇(CS#)和寫使能(WE#)輸入低電平的寫操作問題。輸入和輸出引腳（I/O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使OE#為低電平，在此期間輸出緩沖器也會關(guān)閉。UB#和LB#啟用字節(jié)寫入功能。通過使能LB#低電平，來自I/O引腳（I/O0到I/O7）的數(shù)據(jù)被寫入地址引腳上指定的位置。當UB#為低電平時，來自I/O引腳（I/O8到I/O15）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
 
閱讀模式
芯片選擇（CS#低）和寫使能（WE#）輸入高時的讀操作問題。當OE#為低電平時，輸出緩沖器開啟以進行數(shù)據(jù)輸出。在READ模式期間不允許對I/O引腳進行任何輸入。UB#和LB#啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LB#LOW，來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I/O0-7上。當UB#為低電平時，來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I/O8-15上。
 

關(guān)鍵詞： SRAM  IS64WV204816BLL

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