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MR10Q010-1Mb四路輸出高速串行SPI MRAM
1Mb串行MRAM具有四個(gè)串行I O路徑,旨在提高讀 寫(xiě)速度并減少時(shí)鐘周期。EverspinTechnologies的具有QuadSPI接口的MR10Q010提供高達(dá)104MHz的時(shí)
2020-08-05
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什么是STT-MRAM?
隨著有希望的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)的可用性不斷增加,以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲(chǔ)器,新的SoC級(jí)存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過(guò)
2020-08-03
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Everspin MRAM通過(guò)合作伙伴關(guān)系不斷發(fā)展其生態(tài)系統(tǒng)
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無(wú)二的。Everspin擁有600多項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)
2020-07-30
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DDR存儲(chǔ)器系統(tǒng)是消費(fèi)電子的核心
在當(dāng)今的消費(fèi)電子市場(chǎng)中,設(shè)計(jì)師面對(duì)6個(gè)月的設(shè)計(jì)窗口以在12個(gè)月的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)并不少見(jiàn)。這些消費(fèi)者細(xì)分市場(chǎng)中的設(shè)計(jì)師面臨的問(wèn)題之一是
2020-07-28
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DDR5 SDRAM規(guī)格發(fā)布:大容量滿足極速
半導(dǎo)體工程組織JEDEC為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)定了標(biāo)準(zhǔn),該組織上周發(fā)布了最終的JESD79-5DDR5規(guī)范。新型存儲(chǔ)器是其每引腳數(shù)據(jù)傳輸速
2020-07-24
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FRAM的未來(lái)是更高的密度
最近出現(xiàn)的許多內(nèi)存問(wèn)題都以3D Xpoint的形式出現(xiàn)在ReRAM,MRAM和PCRAM上。但是鐵電RAM(FRAM)在小型利基設(shè)備中得到了成功。去年對(duì)新興內(nèi)
2020-07-23
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